2X транзистор в Волгограде
2X транзистор в Волжском

2X транзистор в Махачкале

678 товаров
Вы выбрали: 2X транзистор
Сбросить (2)

Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 221 руб.
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами

от 221 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэ...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 175 руб.
Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэлектроники. Основу транзисторо...

от 175 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Гра...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 237 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Граничная частота коэффициента пе...

от 237 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 5-6 дней

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 167 руб.
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120 ВтКрутизна характеристик...

от 167 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка завтра

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффи...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 226 руб.
Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 226 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Н...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 362 руб.
Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Напряжение возобновления заряда...

от 362 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: корпус

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 195 руб.
Тип: корпус

от 1 195 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 889 руб.
Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18 ВтДиапазон рабочих температур...

от 889 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 899 руб.
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

от 899 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-баз...

от 391 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 3-4 дня

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 128 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 128 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 5-6 дней

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

Оригинальный N-канальный полевой транзистор P0903BDL в корпусе TO-252. Официальная закупка у производителя Nico Semicoductor. Применяется в цепях питания материнских плат, ноутбуков и другой радиотехники

от 85 руб.
Оригинальный N-канальный полевой транзистор P0903BDL в корпусе TO-252. Официальная закупка у производителя Nico Semicoductor. Применяется в цепях питания материнских плат, ноутбуков и другой радиотехники

от 85 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка A2SHB Тип транзистора: MOSFET...

от 391 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 129 руб.

Посмотреть

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcим...

от 218 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллекто...

от 218 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

от 550 руб.
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибким...

от 550 руб.

Посмотреть

Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...

от 149 руб.
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

от 216 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц. Максимальное нап...

от 216 руб.

Посмотреть

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

от 149 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 149 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоянн...

от 128 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...

от 391 руб.
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более:...

от 391 руб.

Посмотреть

Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10Максим...

от 407 руб.
Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10Максимальная рассеиваемая мощность,В...

от 407 руб.

Посмотреть

SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...

от 194 руб.
SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 85 Гра...

от 194 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (max): 60 В Напряжение эмиттер-б...

от 391 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 194 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 194 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная тем...

от 129 руб.

Посмотреть

Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзистор КТ3101АМ кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. Корпус - КТ-29. Маркировка - две белые прерывистые полосы. количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор аналоги: 2Т3101А, 2SC1236

от 499 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзистор КТ3101АМ кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. Корпус - КТ-29. Маркировка - две белые прерывистые полосы. количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор аналоги: 2Т3101А, 2SC1236

от 499 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении би...

от 235 руб.
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении биполярного и полевого транзисто...

от 235 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 248 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 248 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

от 213 руб.
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 213 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.
Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro

от 319 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
1 отзыв

от 319 руб.

Посмотреть

Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcималь...

от 221 руб.
Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...

от 221 руб.

Посмотреть

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9...

от 212 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9, KT3130A, КТ3139А тип: транз...

от 212 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

от 130 руб.
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс. напр. к-б при заданном обратн...

от 130 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

от 200 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

от 850 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами. Тип корп...

от 850 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 602 руб.
Тип: транзистор

от 602 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 140 руб.
Тип: транзистор

от 140 руб.

Посмотреть

N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.
N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 150 руб.
Тип: транзистор

от 150 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене

от 215 руб.
E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене

от 215 руб.

Посмотреть

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

от 149 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 149 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частот...

от 215 руб.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента передачи тока М...

от 215 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 386 руб.
Тип: транзистор

от 386 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Гр...

от 131 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частота коэффициента п...

от 131 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 209 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 209 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 199 руб.
Тип: транзистор

от 199 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное пос...

от 129 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное н...
1 отзыв

от 128 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz

от 180 руб.
Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz

от 180 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...

от 646 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 646 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 259 руб.
Тип: транзистор

от 259 руб.

Посмотреть

Производитель: Infineon Technologies MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 N-канал Напряжение: пороговое...

от 288 руб.
Производитель: Infineon Technologies MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 N-канал Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 1,8 В Сопрот...

от 288 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допу...

от 590 руб.
JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |I...

от 590 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 345 руб.
Тип: транзистор

от 345 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 139 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 139 руб.

Посмотреть

Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

от 223 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

от 223 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 VПредельное постоянное н...

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.

Посмотреть

Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.
Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.

Посмотреть

Транзистор 50JR22 (арт. 61/50/597)

от 499 руб.
Транзистор 50JR22 (арт. 61/50/597)

от 499 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, аналоги: КТ364А-2

от 244 руб.
Тип: транзистор, аналоги: КТ364А-2

от 244 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...

от 330 руб.
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пос...

от 330 руб.

Посмотреть

Рубрика 2X транзистор содержит 678 товаров, которые продаются в 68 магазинах в Махачкале по цене от 0.89 руб. до 1970 руб.
Новые категории
Приемники с usb Ms 261 Dr 100 12 mean well Цвет загара 8Thdays Пенал Herlitz rock Redmond skykettle Rowenta cf3610 Мотокультиватор мкм 2
Может быть интересно