Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 221 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэ...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 175 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Гра...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 237 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 330 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 5-6 дней
предложения от 1 магазина
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 167 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка завтра
предложения от 1 магазина
Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффи...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 226 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Н...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 362 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: корпус
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 1 195 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 889 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 899 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 J3Y транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2N5830 схема MPS650G характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не боле...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 391 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 3-4 дня
предложения от 1 магазина
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 128 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 5-6 дней
предложения от 1 магазина
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор
Оригинальный N-канальный полевой транзистор P0903BDL в корпусе TO-252. Официальная закупка у производителя Nico Semicoductor. Применяется в цепях питания материнских плат, ноутбуков и другой радиотехники
Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене
В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcим...
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
TIP122 транзистор (2 шт.) TO-220 аналог 2N6045 схема 2N6532 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP122 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более:...
Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10Максим...
SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...
Транзисторы продаются комплектом по 5 штук. Транзистор КТ3101АМ кремниевый планарно-эпитаксиальный n-p-n транзистор. Корпус - КТ-29. Маркировка - две белые прерывистые полосы. количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор аналоги: 2Т3101А, 2SC1236
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении би...
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcималь...
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 350mW Ucb,max 50V Uce,max 45V Ueb,max 5V Ic,max 100mA Tj,max 150єC Ft,max 300MHz Cctip,pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A, KT3130A9...
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
N канальный. очень распространенный транзистор
E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частот...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Гр...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макc...
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...
Производитель: Infineon Technologies MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1.0 Мощность: рассеиваемая (Pd) - 300 Вт Максимальный ток: Id - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 50 A Тип: МОП - Транзистор, кремниевый, 1 N-канал Напряжение: пороговое...
JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допу...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Транзистор 2N6038G по выгодной цене
Транзистор 50JR22 (арт. 61/50/597)
Тип: транзистор, аналоги: КТ364А-2
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...
