A105 транзистор в Волгограде
A105 транзистор в Волжском

A105 транзистор в Махачкале

317 товаров
Вы выбрали: A105 транзистор
Сбросить (2)

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка завтра

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоянн...

от 128 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка завтра

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 139 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 139 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 130 руб.
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс. напр. к-б при заданном обратн...

от 130 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 6-7 дней

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

УЧЗ 1331A3L3-16 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 4 510 руб.
УЧЗ 1331A3L3-16 по выгодной цене

от 4 510 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: корпус

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 195 руб.
Тип: корпус

от 1 195 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 889 руб.
Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18 ВтДиапазон рабочих температур...

от 889 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Корпуса для РЭА.Высота: 60 ммШирина: 140 ммГлубина: 190 ммСтепень защиты: IP54 (пылезащита)Тип: корпус пластиковый настольныйЦвет: корпус - светло-серый; торцевые панели - металлДиапазон рабочих температур: -20…+80 °СМатериал корпуса: корпус - ABS пластик (UL-94HB); пан...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 110 руб.
Корпуса для РЭА.Высота: 60 ммШирина: 140 ммГлубина: 190 ммСтепень защиты: IP54 (пылезащита)Тип: корпус пластиковый настольныйЦвет: корпус - светло-серый; торцевые панели - металлДиапазон рабочих температур: -20…+80 °СМатериал корпуса: корпус - ABS пластик (UL-94HB); панели - алюминийКомплектность: к...

от 1 110 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 899 руб.
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

от 899 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

от 277 руб.
Тип: транзистор

от 277 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 222 руб.
Тип: транзистор

от 222 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 246 руб.
Тип: транзистор

от 246 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 232 руб.
Тип: транзистор

от 232 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 312 руб.
Тип: транзистор

от 312 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...

от 167 руб.
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120 ВтКрутизна характеристик...

от 167 руб.

Посмотреть

TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole

от 123 руб.
TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole
1 отзыв

от 123 руб.

Посмотреть

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

от 149 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 149 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор, SMD-корпус

от 200 руб.
Тип: транзистор, SMD-корпус

от 200 руб.

Посмотреть

Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN

от 824 руб.
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN

от 824 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

BD139 Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (TO-126) по выгодной цене

от 212 руб.
BD139 Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (TO-126) по выгодной цене

от 212 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 2 039 руб.
Тип: транзистор

от 2 039 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 154 руб.
Тип: транзистор

от 154 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Мак...

от 279 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 279 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 276 руб.
ОЕМ

от 276 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 400 руб.
Тип: транзистор

от 400 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:25V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Curr

от 246 руб.
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:25V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Curr

от 246 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BFR92A.215, цена от 16.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 232 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BFR92A.215, цена от 16.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 232 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 320 руб.
ОЕМ

от 320 руб.

Посмотреть

Малосигнальные NPN-транзисторы Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0....

от 96 руб.
Малосигнальные NPN-транзисторы Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.3 Статический коэффициент пере...

от 96 руб.

Посмотреть

Корпус: TO-220F Максимальный ток: 20A Максимальное напряжение: 500 В

от 295 руб.
Корпус: TO-220F Максимальный ток: 20A Максимальное напряжение: 500 В

от 295 руб.

Посмотреть

Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92

от 141 руб.
Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92

от 141 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 267 руб.
ОЕМ

от 267 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр

от 144 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр

от 144 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 259 руб.
Тип: транзистор

от 259 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная тем...

от 129 руб.

Посмотреть

Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3

от 318 руб.
Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3

от 318 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 VПредельное постоянное н...

от 128 руб.

Посмотреть

Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм Технические параметры Максимальная рабочая температура +150 °C Максималь...

от 179 руб.
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм Технические параметры Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальный непрерывный ток стока 5,3...

от 179 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 194 руб.
Тип: транзистор

от 194 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 145 руб.
Тип: транзистор

от 145 руб.

Посмотреть

Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Технические параметры Base Product Number BCW71 -> Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Current - Collector Cutoff (Max) 10...

от 222 руб.
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Технические параметры Base Product Number BCW71 -> Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO) DC Current Gain (hF...

от 222 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 312 руб.
ОЕМ

от 312 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное н...
1 отзыв

от 128 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка AO4612, цена от 61.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 194 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка AO4612, цена от 61.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 194 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка IRL2505S, цена от 106.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 245 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка IRL2505S, цена от 106.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 245 руб.

Посмотреть

Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор

от 221 руб.
Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор

от 221 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, биполярный, RF, 15В, 25мА, 200мВт, SOT23

от 400 руб.
Транзистор PNP, биполярный, RF, 15В, 25мА, 200мВт, SOT23

от 400 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 245 руб.
Тип: транзистор

от 245 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 224 руб.
Тип: транзистор

от 224 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 310 руб.
ОЕМ

от 310 руб.

Посмотреть

Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, радиочастотный [SOT-23

от 154 руб.
Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, радиочастотный [SOT-23

от 154 руб.

Посмотреть

Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

от 330 руб.
Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене

от 330 руб.

Посмотреть

Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...

от 202 руб.
Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V...

от 202 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.
N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.

Посмотреть

MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 25A Resistance, Rds On 0.045ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Curre...

от 307 руб.
MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 25A Resistance, Rds On 0.045ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Current, Idm Pulse 100A External De...

от 307 руб.

Посмотреть

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro

от 325 руб.
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
1 отзыв

от 325 руб.

Посмотреть

Тип: корпус

от 307 руб.
Тип: корпус

от 307 руб.

Посмотреть

MOSFET, N D-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Case Style: TO-252 (D-Pak)

от 267 руб.
MOSFET, N D-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Case Style: TO-252 (D-Pak)

от 267 руб.

Посмотреть

2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене

от 300 руб.
2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене

от 300 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Технические параметры Корпус D2PAK/TO263 Тип упаковки Tube (туба) Нормоупаковка 50 шт. Вес брутто 2.38 г. Напряжение исток-сток макс. 500V Ток стока макс. 11A Сопротивление открытого канала 520 mOhm Мощность макс. 170W Тип транзистора N-Channel Пороговое напряжение вклю...

от 369 руб.
Технические параметры Корпус D2PAK/TO263 Тип упаковки Tube (туба) Нормоупаковка 50 шт. Вес брутто 2.38 г. Напряжение исток-сток макс. 500V Ток стока макс. 11A Сопротивление открытого канала 520 mOhm Мощность макс. 170W Тип транзистора N-Channel Пороговое напряжение включения макс

от 369 руб.

Посмотреть

JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допу...

от 590 руб.
JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |I...

от 590 руб.

Посмотреть

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы корпус: TO92S, инфо: Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.4 Вт, 200 МГц, 22 кОм+22 кОм Технические параметры Вес, г 0.5

от 224 руб.
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы корпус: TO92S, инфо: Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.4 Вт, 200 МГц, 22 кОм+22 кОм Технические параметры Вес, г 0.5

от 224 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 270 руб.
ОЕМ

от 270 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 278 руб.
Тип: транзистор

от 278 руб.

Посмотреть

Транзистор IRF7455 по выгодной цене

от 262 руб.
Транзистор IRF7455 по выгодной цене

от 262 руб.

Посмотреть

Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390

от 390 руб.

Посмотреть

Технические параметры Collector-Emitter Breakdown Voltage 120V Maximum DC Collector Current 1A Pd - Power Dissipation 1.5W Transistor Type NPN Вес, г 0.9

от 173 руб.
Технические параметры Collector-Emitter Breakdown Voltage 120V Maximum DC Collector Current 1A Pd - Power Dissipation 1.5W Transistor Type NPN Вес, г 0.9

от 173 руб.

Посмотреть

Рубрика A105 транзистор содержит 317 товаров, которые продаются в 32 магазинах в Махачкале по цене от 0.89 руб. до 2039 руб.
Новые категории
Приемники с usb Ms 261 Dr 100 12 mean well Цвет загара 8Thdays Пенал Herlitz rock Redmond skykettle Rowenta cf3610 Мотокультиватор мкм 2
Может быть интересно