Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 129 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка завтра
предложения от 1 магазина
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 128 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка завтра
предложения от 1 магазина
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 135 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 139 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 130 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 6-7 дней
предложения от 1 магазина
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 149 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
УЧЗ 1331A3L3-16 по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 4 510 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: корпус
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 1 195 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 889 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Корпуса для РЭА.Высота: 60 ммШирина: 140 ммГлубина: 190 ммСтепень защиты: IP54 (пылезащита)Тип: корпус пластиковый настольныйЦвет: корпус - светло-серый; торцевые панели - металлДиапазон рабочих температур: -20…+80 °СМатериал корпуса: корпус - ABS пластик (UL-94HB); пан...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 1 110 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 899 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 200 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...
TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...
Тип: транзистор, SMD-корпус
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C
BD139 Транзистор NPN 80В 1.5А 12.5Вт (TO-126) по выгодной цене
Тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Мак...
Тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:25V; Current, Id Cont:2.3A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Curr
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BFR92A.215, цена от 16.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Малосигнальные NPN-транзисторы Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0....
Корпус: TO-220F Максимальный ток: 20A Максимальное напряжение: 500 В
Транзистор N-канал 30В 10мА [TO-92
Транзистор биполярный 2SC5200-O[Q] (NPN+PNP 230В 15A TO-3P) по выгодной цене
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...
Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 7.3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 42 мОм Технические параметры Максимальная рабочая температура +150 °C Максималь...
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - Single Биполярный (BJT) транзистор NPN 45V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount TO-236AB Технические параметры Base Product Number BCW71 -> Current - Collector (Ic) (Max) 100mA Current - Collector Cutoff (Max) 10...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка AO4612, цена от 61.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка IRL2505S, цена от 106.00 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Транзистор npn. используется в приемнике globo x80. формирует напряжение 5 в для питания карты и картоприемника. тип: транзистор
Транзистор PNP, биполярный, RF, 15В, 25мА, 200мВт, SOT23
Сверхвысокочастотный NPN биполярный транзистор, радиочастотный [SOT-23
Транзистор биполярный 2SA1943-O(Q) (PNP 230В 15A TO3P) по выгодной цене
Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
N канальный. очень распространенный транзистор
MOSFET, N, 55V, 25A, D-PAK Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 25A Resistance, Rds On 0.045ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style DPAK Termination Type SMD Alternate Case Style D-PAK Curre...
MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro
MOSFET, N D-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Current, Id Cont:37A; Resistance, Rds On:0.02ohm; Case Style: TO-252 (D-Pak)
2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Технические параметры Корпус D2PAK/TO263 Тип упаковки Tube (туба) Нормоупаковка 50 шт. Вес брутто 2.38 г. Напряжение исток-сток макс. 500V Ток стока макс. 11A Сопротивление открытого канала 520 mOhm Мощность макс. 170W Тип транзистора N-Channel Пороговое напряжение вклю...
JCS12N65FT Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допу...
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы корпус: TO92S, инфо: Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.1 А, 0.4 Вт, 200 МГц, 22 кОм+22 кОм Технические параметры Вес, г 0.5
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...
Тип: транзистор
Транзистор IRF7455 по выгодной цене
Совместимы с моделями Epson Stylus Photo 1410 Epson Stylus Photo 1500W Epson Stylus Photo 1400 Epson Artisan 1430 Epson L1800 Epson L1300 Epson Stylus Office T1100 Epson Stylus Office B1100 Epson PX-1004 Epson Stylus Photo R270 Epson Stylus Photo R390
Технические параметры Collector-Emitter Breakdown Voltage 120V Maximum DC Collector Current 1A Pd - Power Dissipation 1.5W Transistor Type NPN Вес, г 0.9
