Транзистор 2т825а в Махачкале

В комплекте 2 штуки новых транзисторов LM317T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог UPC317 схема ECG1900 характеристики цоколевка datasheet LM317 LM317Т – это регулируемый стабилизатор напряжения. Он может служить для создания различных блоков питания. Он способен быть основ...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:50A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style: TO-247AC; Termination Type: Thro тип: тран...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3407 A79T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема 2SA795 аналог AN7912F характеристики цоколевка datasheet А79Т MOSFET A03407 Наименование прибора: AO3407 Маркировка: A79TF_X7*_A7 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеи...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Модуль управления MOSFET MOS развязкой по оптопаре и транзистором AOD4184 (40В, 50А) MS011 (Черный) - это мощное устройство, которое позволяет контролировать передачу электрического сигнала между двумя устройствами, используя оптопару и транзистор. Этот модуль обеспечив...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

IRF4905PBF - Транзистор полевой P-канальный. Макс. напряжение сток-исток - 55В. Ток стока - 74А. Макс. мощность рассеивания - 200Вт. Мощность: рассеиваемая (Pd) - 200 Вт Максимальный ток: d - максимальный продолжительный, непрерывный ток стока - 74 А Тип: МОП - Транзист...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

2SJ6920 Биполярный транзистор 20А, 3МГц, 200В Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 1700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 800 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 20 Ст...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2Т818А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Характеристики Производитель Россия Структура PNP Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс,А) 15 Статиче...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2Т856А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор 2Т606А по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Технические параметрыСтруктура npnМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 10Максим...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: корпус

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КТ3102АМ TO-92, транзистор NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200Мгц, 10штук по выгодной цене

П214А Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Используются для работы в радиотехнических и элект...

N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по т...

Полевой транзистор КП103 тип: Активные компоненты

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

Основные технические параметры КТ827А: КТ827А Транзисторы кремниевые эпитаксиальные мезапланарные составные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, стабилизаторах тока и напряжения, импульсных усилителях мощности, повторит...

В комплекте 2 штуки новых деталей 2 штуки LR7843 транзистор (2 шт.) TO-252 DPAK аналог CSD17559Q5T (TI) схема AUIRFB8409 (INFIN) характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET Наименование прибора: IRLR7843 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеи...

TIP142T транзистор (2 шт.) TO-220 аналог BDT63B схема BDW42 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора TIP142T Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более...

Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балл...

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252

Применяется в источниках вторичного электропитания, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры, широко используется в роли элемента усиления в модулях и блоках электронной ап...

Тип транзистора: IGBT Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 140 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 360 Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| 25℃, A: 200(pulse) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 700 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 400 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10…...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов D882 транзистор (2 шт.) TO-126 аналог 2SD882 схема BD187 характеристики цоколевка datasheet BDX35 Характеристики транзистора 2SD882 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более:...

Тип: Электронные компоненты

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...

Простой драйвер на основе MOSFET транзистора IRF520N. Позволяет получить ШИМ до 24В, используется для светодиодных лент, двигателей постоянного тока, микронасосов и помп. Несмотря на то, что драйвер MOSFET может пропускать ток до 5А, при токе выше 1А к нему требуется по...

Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

В комплекте 5 штук новых транзисторов AO3400 A09T транзистор 5 шт. SOT23 SMD схема FDN339AN аналог SN74LVC1G125DBVR характеристики цоколевка datasheet А09Т MOSFET A03400 Наименование прибора: AO3400 Маркировка: A01TF_A09T Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальн...

В комплекте 5 штук новых транзисторов S8050 D331 транзистор (5 шт.) TO92 аналог 2SD471A схема KSC1008 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 8050 Характеристики транзистора S8050 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база,...

Транзисторы П214А германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Основные технические характеристики транзистора П214А: •...

Платы без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соотв...

Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 140 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 140 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 55 Гр...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 6...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Гр...

Наименование: КП103И. Тип: Транзистор малой мощности (P < 0.3 Вт) с p-n - переходом и каналом p-типа. Максимальная рассеиваемая мощность (P (max)): 21 мВт. Максимальное напряжение сток-исток (UСИ (max)): 12 В

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 18 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.15 Ом/11А, 10В Максимальная ра...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 2...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

В комплекте 5 штук новых транзисторов A2SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог SI2302 схема SSM3J332R характеристики MOSFET цоколевка datasheet Транзистор SI2302, A2SHB (20В, 2.3A, 1.25Вт) SOT23 smd N-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2302 маркировка...

Основные технические параметры КТ858А: КТ858А Транзистор КТ858А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не боле...

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...

Тип: транзистор

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Плата без деталей для самостоятельной сборки Усилителя с двумя парами выходных транзисторов TIP142/TIP147 на выходе, модель AX12. Выходная мощность 100W на нагрузку 4R. Питание может быть от +/- 40В до +/- 45В, 3- 5 Ампер. Сборку осуществляете самостоятельно без сопрово...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...

Транзистор 13003 в корпусу ТО-92 Цена за упаковку (2 шт) тип: транзистор

В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2301 маркировка A...

Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ Конфигурация n-p-n Коэффициент усиления мощности: не менее 6.3 дБ Максимальное напряжение эмиттер-база:4 В Максимальный ток коллектора импульсный:1 А Мощность рассеиваемая:5.5 Вт Ток коллектора обратный: не более 7 мА

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9012 2T1 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6652G схема ZTX555 характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S9012 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не бо...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcима...

Количество в упаковке: 25 шт

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.35 Вт Коэф...

Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) - это мощный NPN транзистор, который используется в схемах управления мощными нагрузками, такими как электродвигатели, лампы и т. д. Он имеет максимальное напряжение до 400 В и максимальный ток до 8 А. Транзистор MJE13007 TO-220 (RP) имее...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...

Корпус mt2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1 Граничная частота коэф. передачи тока fгр, МГц 200 Максимальное напряжение к-э (Uкэо макс), В 50 Структура npn Максимально допустимый ток к (Iк макс)

Транзистор N-FET 900V 3A 100W 4.5R 5 корпус: TO220

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

Транзисторы 2Т371А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные усилительные с нормированным коэффициентом шума. Предназначены для применения в усилителях сверхвысоких частот. Выпускаются в металлостеклокерамическом корпусе с гибкими полосковы...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

Маркировка: 26 Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-NPN Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...

SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...

Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Характеристики: Все характеристики h21э 15...

Двухканальный стерео усилитель высокой мощности цифровой аудио Тип чипа: TPA3110 Рабочее напряжение: DC8-26V Выходная мощность: 2*30 Вт Макс Сопротивление колонок: 4-8 Ом DC12V, 2*10 Вт DC26V, 2*30 W Канал: Поддержка двух каналов стерео Размеры:53*45*14 мм Возможно откл...

2N2907A 331 транзистор (5 шт.) TO92 MPS751 схема KSA709 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet 2Н2907А Характеристики транзистора 2N2907A Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база...

В комплекте 5 штук новых деталей LR024N IOR транзистор (5 шт.) TO-252 DPAK аналог 2SK2018-01S схема 2SK2231 характеристики цоколевка datasheet микросхема MOSFET IRLR024N Характеристики транзистора IRLR024N Корпус - D-PAK Напряжение пробоя сток-исток 55 В Максимальное на...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N5551 B331 транзистор (5 шт.) TO-92 аналог 2N5551G схема 2N5833 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, н...

Транзистор 2SJ6920A TO3PF по выгодной цене

Транзисторы Toshiba 2SC4252, SC70, 10шт количество в упаковке: 10 шт

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...

Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 8 Статический коэффициент переда...