Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 128 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка завтра
предложения от 1 магазина
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 850 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 4-5 дней
предложения от 1 магазина
MJE13003 Транзистор NPN 400В 1А 40Вт TO-126 по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 222 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 129 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка завтра
предложения от 1 магазина
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 186 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 200 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 7-8 дней
предложения от 1 магазина
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 899 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 200 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 149 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 130 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка 6-7 дней
предложения от 1 магазина
Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 550 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 400 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Стоит в gs8306, 07, topfield hsci 7700 и проч
Тип: транзистор
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Тип: транзистор
Шлейф для Xiaomi Redmi Note 9S межплатный по выгодной цене
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…80...
IRFB4227PBF Транзистор N-канал 200В 130А (TO-220AB) 11490 по выгодной цене
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 75 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100 Граничная частот...
E13005 Транзистор NPN 400В 4А 75Вт (TO-220) по выгодной цене
Тип: транзистор
Тип: транзистор
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C
Сдвоенный n канальный транзистор
TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole
Мощность: рассеиваемая постоянная: 30 мВт Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 350 МГц Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора: 200 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 м...
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
N канальный. очень распространенный транзистор
Тип: транзистор
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...
Количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами
Тип: транзистор
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
2N3055 Транзистор биполярный NPN 60В 15А TO-3 по выгодной цене
Находятся в обвязки цепи питания lnb, уход или отсутствие напряжения питания lnb часто связано с этими транзисторами
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...
Полевой применяется во вторичной цепи блоков питания dre GS 5000...7300
Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 0,3 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Ток: коллектора постоянный: 30 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 35-150 Частота: коэффициента передачи тока г...
IRLML6401TRPBF Транзистор P-канал 12В 4.3А (SOT-23) по выгодной цене
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
N канальный. очень распространенный транзистор
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...
IRLB3034PBF Транзистор N-канал 40В 343А (TO-220AB) 11491 по выгодной цене
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Транзистор IRF7301TRPBF по выгодной цене
