Транзистор кт610 в Махачкале

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КТ355А - это сверхвысокочастотные усилительные транзисторы с ненормированным коэффициентом шума, предназначенные для усиления и генерирования электрических сигналов в широком диапазоне частот. Они используются в электронной аппаратуре общего назначения и мар...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20…90...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая пост...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В*: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 60

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Биполярный транзистор, PNP, -20В, -0.1А, 0.3Вт, 250МГц, h21e=120…220 [КТ-26 / TO-92

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор PNP 40В 4А [TO-126

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзистор NPN, 7А, 400В, h21e =10 [КТ-28-2 / TO-220] (BU104DP)

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Транзистор КТ3102АМ TO-92, транзистор NPN, 50В, 0.2А, 0.25Вт, 200Мгц, 10штук по выгодной цене

Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

Биполярный транзистор, характеристики High voltage NPN Power Transistor, Vcbo=1500V, Ic=8A, Pc=35W (On-chip damper diode) Транзистор биполярный TT2222 NPN 1500V, 8A TO-220F

Транзисторы 2П103А кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транзисторы выпускаются в мета...

К190КТ2П Микросхемы К190КТ2П представляют собой четырехканальный коммутатор (2x2) на 4 полевых транзисторах с изолированным затвором. Предназначены для использования в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в 14-выводном прямоугольном пластмассовом к...

Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максима...

Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...

Тип: транзистор

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Количество в упаковке: 5 шт

Технические параметры Максимальное постоянное обратное напряжение, В 1000 Максимальное импульсное обратное напряжение, В 1000 Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток, А 6 Максимальный допустимый прямой импульсный ток, А 125 Максимальный обратный ток, мкА 10...

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене

Тип: транзистор

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...

В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжен...

Количество в упаковке: 5 шт

Тип: транзистор

Количество в упаковке: 5 шт

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Количество в упаковке: 20 шт

Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене

NPN power transistors 32V, 4A, 36W, 3MHz

Тип: транзистор

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...

Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Количество в упаковке: 5 шт

Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=60V, Id=75A, Pd=150W, Rds(on)=13 mOhm

Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...

N-channel Logic Level Enhancement mode OptiMOS Power-Transistor,Vds=55V, Id=30A, Rds(on)=35 mOhm, Ptot=68W

В комплекте 5 штук новых транзисторов SI2301 A1SHB транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог UT6401 схема AO3407A характеристики цоколевка datasheet Транзистор SI2301, A1SHB (20В, 2.2A, 1.25Вт) SOT23 smd P-Channel Enhancement Mode FET Наименование прибора: SI2301 маркировка A...

Структура npn Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Корпус kt-27-2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 40 Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи, В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр...

Конфигурация: p-n-p Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Максимальный ток: коллектора импульсный: 200 мА Максимальное напряжение: коллектор-эмиттер: 20 В Максимальное напряжение: коллектор-база: 25 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Мощность: рассеи...

Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене

Транзистор 13003 в корпусе ТО-126 тип: транзистор

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Количество в упаковке: 8 шт

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене

Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр. МГц 20 Максимальная рассеиваемая мощ...

Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...

В комплекте 5 штук новых транзисторов BC550 B транзистор (5 шт.) TO92 аналог BC171 схема BC182 характеристики ТО-92 цоколевка datasheet ВС550 Характеристики транзистора BC550B Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не б...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 6...

Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor Vds=40V,n-channel:Id=6A,Rds(on)=31 mOhm,p-channel:Id=5A,Rds(on)=45 mOhm,Pd=2W

Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...

Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт количество в упаковке: 25 шт

Количество в упаковке: 2 шт

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 70 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 70 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40...

Количество в упаковке: 8 шт

Количество в упаковке: 5 шт

Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...

Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ Конфигурация n-p-n Коэффициент усиления мощности: не менее 6.3 дБ Максимальное напряжение эмиттер-база:4 В Максимальный ток коллектора импульсный:1 А Мощность рассеиваемая:5.5 Вт Ток коллектора обратный: не более 7 мА

Количество в упаковке: 10 шт

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 50 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40...

Количество в упаковке: 10 шт

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.02 Статический коэффициент передачи тока h21э мин...

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20 Гр...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

Транзисторы 2Т606А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах выше 100 МГц при напряжении питания 28 В. Характеристики: Все характеристики h21э 15...

Количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор аналоги: КТ662А дополнительная информация: Предназначен для применения в быстродействующих ключевых устройствах электронных автоматических телефонных станций

Silicon N-Channel MOSFET, Vdss=30V, Id=12A, Pd=1,9W, Rds(on)=7,6 mOhm (This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care) количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

Количество в упаковке: 25 шт

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Гр...

Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси максА 10 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи максВ 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рас...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

Тип: транзистор

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора...

КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоя...

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная темпер...