В комплекте 2 штуки новых транзисторов IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10 Характеристики транзистора IRF3710 Корпус - TO-220AB Напряжение пробоя сток-исток 100 В Максимальное напряжен...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
IRF3710 транзистор (2 шт.) TO-220AB аналог HUF75639P3 схема STP40NF10 характеристики цоколевка datasheet MOSFET STP50NE10
от 391 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы КП103К - это кремниевые диффузионно-планарные полевые транзисторы с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа. Они предназначены для использования во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением. Транз...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор КП103К
от 249 руб.
предложения от 1 магазина
Транзисторы КТ801А - это переключательные кремниевые радиодетали структуры n-p-n. Они предназначены для использования в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания и других радиотехнических и электронных устройствах. Транзисторы поставляются в м...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор КТ801А
от 139 руб.
предложения от 1 магазина
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BJT 2N3963 (PNP, 0.2А, 80В)
от 186 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор BFW16A (NPN, 0.3А, 25В)
от 149 руб.
предложения от 1 магазина
Это современное, высокопроизводительное устройство с индуцированной конструкцией затвора (N-канальный). В параметрах заявлено большое поддерживаемое им напряжение 55 В и ток стока до 110 А. Основной особенностью этого MOSFET является очень низкое сопротивление, в открыт...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Полевой транзистор, N-канальный GSMIN IRF3205 55В, 110А, -55+175C (Черный)
от 149 руб.
предложения от 1 магазина
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 400 мОм Технические параметры Структура n-канал Максимальное напряжение сток-ис...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор IRF630
от 282 руб.
предложения от 1 магазина
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 72 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf С...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор IRF630A
от 200 руб.
предложения от 1 магазина
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 72 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 500 pf С...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор IRF630A
от 200 руб.
предложения от 1 магазина
N Channel, Id=9.3A, Vds=200V, Rds(on)=0.3ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=82W, корпусTO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
IRF630NPBF транзистор
от 216 руб.
предложения от 1 магазина
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 700(1500) В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 700(1500) В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 8000(15000) мА Максимально допустимая пост...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор КТ8114А
от 469 руб.
предложения от 1 магазина
Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В*: 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс, А) 15 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Максимальная рассеиваемая мощность к (Рк, Вт) 60
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
Транзистор КТ9166А
от 230 руб.
предложения от 1 магазина
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 напряжение: 60 В ти...
Транзистор MJ2955 (PNP, 15А, 60В)
от 179 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420...
BC547C транзистор
от 180 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...
Транзистор КТ315И, 10 штук / Аналоги: BCY65EDP, BCY65EPD, BCY65EPDM, BCY65EAP / n-p-n усилительные
от 499 руб.
КТ973А Транзисторы КТ973А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, высокочастотные. Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики. Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения. Выпускаются в пластма...
Триод КТ 973А 1992г. (лот 10 штук)
от 295 руб.
П701 Транзисторы П701 кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные. Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств общего и специального назначения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе жесткими вывод...
Транзистор П701
от 270 руб.
КТ890А Транзисторы КТ890А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные. Предназначены для применения в схемах зажигания автомобильных двигателей. Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами. Масса транзистора не более 6,0 г. в комплекте:...
Триод КТ890А 1991г.(упаковка 5 штуки)
от 455 руб.
Категория: радиодетали. транзистор 2SC5706-T-TL T0-252
Transistor / Транзистор 2SC5706-T-TL T0-252
от 180 руб.
Транзисторы КП350В - это кремниевые диффузно-планарные полевые транзисторы с двумя изолированными затворами и каналом n-типа. Они предназначены для использования в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц. Транзисторы КП350В выпускаются...
Транзистор КП350В
от 289 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 35 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 35 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50…350...
Транзистор КТ315Г (упаковка 10 шт)
от 230 руб.
Транзисторы 2Т808А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, генераторах строчной развертки, электронных регуляторах напряжения. Корпус транзистора 2Т808А металлический со стеклянными изоляторами...
Транзистор 2Т808А / Аналоги: КТ808А, 2N4913, 2N4914, 2N4915, 2SC1618, 2SD201, 2SD202, 2SD203, BLJY55, BLY47, KD602, KU606 / n-p-n переключательные
от 1 800 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзистор IRFPC50
от 403 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ852В, TO-220, 5шт
от 599 руб.
КТ819В транзисторы широко применяются в разных электро-, радио- и контрольно-измерительных приборах. КТ819В транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные. Корпус пластмассовый с жесткими выводами. Масса транзистора не более 2,5 г. Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220). Техни...
Транзистор КТ819В (упаковка 5 штук)
от 225 руб.
Характеристики транзистора КТ807Б Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500(1500) мА Максима...
Транзистор КТ807Б
от 280 руб.
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.5...
Транзистор IRF9620
от 230 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...
Транзистор BC160-16 (PNP,1А, 40В)
от 155 руб.
Транзистор биполярный PNP, 1А 40В BC160, производства STMicroelectronics. Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 ВНапряжение коллектор-база, не более: 40 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 1 АРассеиваема...
Транзистор BC160-10 (PNP,1А, 40В)
от 155 руб.
Количество в упаковке: 5 шт. тип: транзистор
Транзисторы КТ8181Б (MJE13004), TO-220, 5 шт
от 419 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не бол...
S9013 J3 транзистор 5 штук SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка даташит
от 291 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...
Транзистор BC450 (PNP, 0.3А, 100В)
от 128 руб.
Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт по выгодной цене
Транзистор КТ898А1 TO-3PML, KT898A1 NPN, 1шт
от 530 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC639
от 230 руб.
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 300(500) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваем...
Транзистор КТ209Е
от 230 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси, В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс, В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.008 ом при 62a, 10в Макси...
Транзистор IRF3205
от 230 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40…...
Транзистор КТ639А (упаковка 3 шт)
от 280 руб.
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах. Используются для работы в радиоэлектронно...
Транзистор КТ817Г, 2 шт
от 201 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 2 шт
от 1 290 руб.
Количество в упаковке: 20 шт
Транзисторы КТ6114В (SS8050D), TO-92, 20шт
от 599 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Гран...
Транзистор КТ646Б
от 200 руб.
Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт по выгодной цене
Транзисторы КТ315И,КТ-13, 40шт
от 599 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.02 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 500 Максимальная рассеи...
Транзистор КТ3126А
от 230 руб.
Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт по выгодной цене
Транзисторы КТ805ВМ, TO-220, 5шт
от 599 руб.
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт по выгодной цене
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 5шт
от 409 руб.
Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт по выгодной цене
Транзисторы КТ315Ж,КТ-13, 40шт
от 599 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ852Б, TO-220, 5 шт
от 629 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 25 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20...
Транзистор КТ342БМ
от 230 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8175А (MJE13003BP), TO-220, 5 шт
от 490 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...
Транзистор 2SA1271
от 230 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы КТ626Б (BD138), TO-126, 10шт
от 599 руб.
Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 12.5 Вт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 1.5 А, Коэффициент усиления по току, min 250 Технические параметры Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой...
Транзистор BD135
от 230 руб.
Плата без деталей для самостоятельной сборки Моно Hi-Fi Транзисторного Усилителя Мощности 100 Вт. На входе установлен операционный усилитель NE5534, в предвыходном каскаде использованы транзисторы MJE15030, MJE15031, а в выходной каскад установлена комплементарная пара...
Печатная Плата для сборки Hi-Fi Транзисторный Усилитель 100 Вт PCB amplifier amp, 1 шт
от 650 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы КТ840Б, TO-3, 2 шт
от 639 руб.
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ8181А (MJE13005), TO-220, 5 шт
от 420 руб.
Наименование: КТ3107АМ Тип: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (PK (max)): 0.25 Вт Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер VCE (max) (UКЭ (max)): 50 В Максимально допустимое напряжение коллектор-база VCBO (max) (UКБ (max)): 50 В Максимально допустимое на...
Транзистор КТ3107АМ
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...
Транзистор 2SC2328A
от 230 руб.
Транзистор 2N7000 N, 60В, 0.4А, TO-92 Постоянная рассеиваемая мощность(РDmax) - 1 Вт. Максимальный постоянный ток истока IDmax - 0,35А Максимальное напряжение сток-исток UDSmax - 60В. Максимальное напряжение затвор-исток UGSmax - ±18В. тип: транзистор
2N7000 транзистор
от 181 руб.
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт по выгодной цене
Транзисторы КТ502В (BC327,BC556), TO-92, 25шт
от 599 руб.
Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт по выгодной цене
Транзисторы КТ361Б,КТ-13, 40шт
от 692 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...
Транзистор MJE13001 (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100…25...
Транзистор КТ961В
от 230 руб.
Структура pnp darlington Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 4 Статический коэффициент передачи тока h21...
Транзистор КТ973Б
от 230 руб.
Плата (без деталей) для самостоятельной сборки Транзисторного Усилителя Only Music 2.7 мощностью 120 Вт на нагрузке 4 ом. Допустимо питание от +/-20 до +/-48В Список необходимых деталей: Транзисторы: • VT1, VT5, VT11, VT15, VT17 – 2N5401 – 5 шт. • VT2, VT3, VT6, VT7 – B...
Плата Транзисторный Усилитель Only Music 2.7 120 ВтPCB amplifier, 2 шт
от 1 679 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы КТ932Б, TO-3, 2 шт
от 639 руб.
Кремниевые высоковольтные планарно-эпитаксиальные р-п-р транзисторы средней мощности КT644A, КT644Б, КТ644В, КТ644Г предназначены для применения в схемах усиления и переключения радиоэлектронной аппаратуры. Размеры кристалла 0,6 х 0,6 мм. Маркировка транзисторов в соотв...
Транзистор КТ644А
от 230 руб.
Тип: транзистор
Транзисторы КТ626Е (BD136), TO-126, 10шт
от 599 руб.
Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт по выгодной цене
Транзисторы КТ315Ж зелёные,КТ-13, 40шт
от 692 руб.
КТ859А Транзистор КТ859А кремниевый мезапланарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах. Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения. Выпускаются в пластмассовом корпу...
Транзистор КТ859А
от 230 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...
Транзистор IRF9630
от 230 руб.
Количество в упаковке: 8 шт
Транзисторы КТ9181А, TO-126, 8 шт
от 420 руб.
Структура npn Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Корпус kt-27-2 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр, МГц 40 Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи, В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр...
Транзистор КТ605АМ (упаковка 2 шт)
от 230 руб.
Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт по выгодной цене
Транзисторы КТ961Б, TO-126, 5 шт
от 420 руб.
Транзисторы проверены на стенде. Партия 9202 Структура npn Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 60 Максимально допустимый ток к ( Iк макс. А) 5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 15 Граничная частота коэффициента передачи т...
Транзистор КТ805АМ 2 штуки
от 230 руб.
MOSFET транзистор IRF640N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 200 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 18 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 0.15 ОмМаксимальная рассеиваемая мощност...
IRF640NPBF транзистор
от 232 руб.
Количество в упаковке: 10 шт
Транзисторы КТ611БМ, TO-126, 10шт
от 599 руб.
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor, Vds=40V, Id=8A, N-channel: Rds(on)=33 mOhm, Pd=20W, P-channel: Rds(on)=50 mOhm, Pd=30W количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор
AOD606 транзистор
от 254 руб.
КТ865А (2004-05г), Транзистор PNP, 10А, 200В, h21e=40…200 [КТ-9 / TO-3] (2SA1073) Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 200 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В 200 Максимально д...
Транзистор КТ865А
от 517 руб.
Количество в упаковке: 5 шт
Транзисторы КТ8110Б, TO-220, 5 шт
от 669 руб.
Наименование производителя: BC557A Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряж...
Транзистор BC557A
от 230 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транз...
Транзистор S9012 (PNP, 0.5А, 20В)
от 128 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 730 pf...
Транзистор IRF634A
от 230 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 120 В Напряжение коллектор-база, не более: 120 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор 2SC2235
от 230 руб.
Описание MOSFET, N, D2-PAK; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: N; Voltage, Vds Typ: 100V; Current, Id Cont: 57A; Resistance, Rds On: 23mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement: 10V; Voltage, Vgs th Typ: 4V; Case Style: D2-PAK; Termination Type: SMD Корпус TO263,...
IRF3710STRLPBF транзистор
от 259 руб.
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF 4 Hfe 110MIN Производитель CDIL Caps TO236 Применение Low Power, General Purpose Аналоги: BFS36, 2N1964, BC547A,...
Транзистор BCW71
от 230 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор 2SC3461
от 245 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый посто...
Транзисторы IRF730
от 229 руб.
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор
Транзистор 2SD1996R
от 230 руб.
Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт по выгодной цене
Транзисторы КТ940А1 (BF459, BF458,BF422), TO-92, 20шт
от 599 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тран...
Транзистор 2N3906
от 161 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Мак...
Транзистор BUV48B
от 280 руб.
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.5 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.7a, 10в Максим...
Транзистор IRF830
от 262 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...
Транзистор КТ3129А9
от 260 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...
Транзистор BC338-25
от 230 руб.
Количество в упаковке: 8 шт
Транзисторы КТ9180В, TO-126, 8 шт
от 449 руб.
IGBT транзистор – это прибор, который представляет собой гибрид полевого и биполярного транзистора. Данное сочетание привело к тому, что он унаследовал положительные качества, как полевого транзистора, так и биполярного. Суть его работы заключается в том, что полевой тр...
GT50JR22 50JR22 IGBT-транзисторы Toshiba Оригинал 4шт
от 701 руб.