W2F транзистор в Волгограде
W2F транзистор в Волжском

W2F транзистор в Махачкале

578 товаров
Вы выбрали: W2F транзистор
Сбросить (2)

Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 207 руб.
Transistor Type NPN Current - Collector (Ic) (Max) 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20V Vce Saturation (Max)@ Ib, Ic 400mV@ 20mA, 500mA тип: транзистор

от 207 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напря...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 149 руб.
Наименование производителя: TIP42C Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V...
1 отзыв

от 149 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка завтра

Посмотреть

предложения от 1 магазина

В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (m...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов 2N2907 2F транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог 2SB710A схема KTN2907U характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора 2N2907 Структура: PNP Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max): 40 В Напряжение коллектор-база Uкбо (max): 60 В Напряжение эмиттер-б...

от 391 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 3-4 дня

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 167 руб.
MOSFET транзистор IRF540N. Характеристики: Структура: n-каналМаксимальное напряжение сток-исток: 100 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: 33 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±20 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 44 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 120 ВтКрутизна характеристик...

от 167 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка завтра

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Граничная часто...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 216 руб.
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50 Граничная частота коэффициента передачи тока...

от 216 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 213 руб.
Кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные транзисторы. Предназначены для использования в кскадах видеоусилителей телевизионных приемников, усилителях постоянного тока и других схемах, блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры широкого применения

от 213 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Н...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 362 руб.
Контроллер 3,7В 28x4mm 2pin 265-sxt-2845 JWT Химический состав Li-Pol Номинальное напряжение: 3,7В Напряжение заряда: 4,25В Номинальный ток разряда: 3-4А Максимальный ток заряда: 3-4А Напряжение перезаряда ячейки (VCU): 4,25±0,025В Время срабатывания защиты: 0,7-1,35с Напряжение возобновления заряда...

от 362 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: микросхема

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 060 руб.
Тип: микросхема

от 1 060 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: корпус

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 1 195 руб.
Тип: корпус

от 1 195 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 889 руб.
Импульсные блоки питания.Высота: 36 (корпус) ммШирина: 48 ммГлубина: 86 ммМаксимальный ток: нагрузки - 1,5 АНоминальное напряжение: нагрузки - 12 (DC) ВТип разъёма: штырьковый 5,5*2,1 ммНапряжение переменного тока: 100-240 (AC), 50 Гц ВМаксимальная мощность нагрузки: 18 ВтДиапазон рабочих температур...

от 889 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 899 руб.
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

от 899 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Ма...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 350 руб.
Транзисторы продаются комплектом по 10 штук. Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Маркируются цифро-буквенным кодо...

от 350 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка 3-4 дня

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый постоянный ток сто...

от 156 руб.
Наименование прибора: IRF9540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 23 A Максимальная тем...

от 156 руб.

Посмотреть

Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...

от 149 руб.
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200..4...

от 216 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 80 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200..450 Граничная частота коэффицие...

от 216 руб.

Посмотреть

В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не бол...

от 391 руб.
В комплекте 5 штук новых транзисторов S9013 J3 транзистор (5 шт.) SOT23 SMD аналог MPS6532 схема MPSW01A характеристики цоколевка datasheet Характеристики транзистора S-9013 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-ба...

от 391 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 197 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)

от 197 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 195 руб.
Тип: транзистор

от 195 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcим...

от 11 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллекто...

от 11 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 50 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...

от 223 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 300 Граничн...

от 223 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcим...

от 218 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллекто...

от 218 руб.

Посмотреть

Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи...

от 216 руб.
Ноги B-C-E кремниевый, эпитаксильно-планарный биполярный транзистор n-p-n проводимости. Используется в маломощных импульсных блоках питания бытовых приборов, зарядках, энергосберегающих, светодиодных лампах и других высоковольтных устройствах. Граничная частота передачи тока - 8МГц. Максимальное нап...

от 216 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300 Гр...

от 216 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 300 Граничная частота коэффициента п...

от 216 руб.

Посмотреть

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эм...

от 202 руб.
Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный...

от 202 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока ста...

от 216 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 75 мВт Максимальное напряжение: коллектор-база: 50 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 5 В Максимальный ток: коллектора постоянный: 100 мА Ток: коллектора обратный: не более 1 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 30-120 Частота: коэф...

от 216 руб.

Посмотреть

Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэ...

от 95 руб.
Популярный N-канальный полевой транзистор IRFZ44N в корпусе TO-220 от производителя IR. Наиболее востребован в схемах преобразователей напряжения, конвертеров, драйверов светодиодов, мощных автомобильных усилителях и в большом количестве других направлений и сфер радиоэлектроники. Основу транзисторо...

от 95 руб.

Посмотреть

SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент...

от 194 руб.
SS8550) Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 85 Гра...

от 194 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcима...

от 238 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектор...

от 238 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80 Г...

от 195 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 300 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.3 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80 Граничная частота коэффициента...

от 195 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная тем...

от 456 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

от 456 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

от 40 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная часто...

от 40 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...

от 197 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор SMD-корп...

от 197 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 223 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 223 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 202 руб.
Тип: транзистор

от 202 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200 Гр...

от 216 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200 Граничная частота коэффициента п...

от 216 руб.

Посмотреть

Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по ток...

от 195 руб.
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -30 В Напряжение коллектор-база, не более: -35 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 195 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффи...

от 226 руб.
Характеристики транзистора MJE13009 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 700 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 226 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.07 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 213 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.07 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 213 руб.

Посмотреть

Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс....

от 130 руб.
Описание Корпус TO-92-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 625 мВт, Напряжение КЭ максимальное 160 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффициент усиления по току, min 80, Коэффициент усиления по току, max 250 Технические параметры Структура -- npn Макс. напр. к-б при заданном обратн...

от 130 руб.

Посмотреть

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Макси...

от 149 руб.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1,1 В Максимальная рабочая температура +150 °C Максимальная рабочая частота 100 МГц Количество элементов на ИС 1 Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 1,2 В Длина 7.8мм Transistor Configuration Одинарный Максимальное напряжение коллектор-б...

от 149 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: SSP4N60AS Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|...

от 120 руб.
Наименование прибора: SSP4N60AS Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый п...

от 120 руб.

Посмотреть

Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcималь...

от 221 руб.
Ип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора...

от 221 руб.

Посмотреть

Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

от 234 руб.
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max) тип: транзистор

от 234 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Мак...

от 279 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток колле...

от 279 руб.

Посмотреть

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частот...

от 215 руб.
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W Граничная частота коэффициента передачи тока:...

от 215 руб.

Посмотреть

Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении би...

от 235 руб.
Популярные среди сервисных центров по ремонту сварочной и силовой схемотехники N канальные IGBT транзисторы GT50JR22, поставляемые напрямую с завода Toshiba. IGBT транзисторы переводятся как Биполярные Транзисторы с Изолированным Затвором. Они возникли при совмещении биполярного и полевого транзисто...

от 235 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 222 руб.
Тип: транзистор

от 222 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

от 233 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 4 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 Корпус: TO-220F Мар...

от 233 руб.

Посмотреть

Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А...

от 223 руб.
Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность, не боле...

от 223 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...

от 224 руб.
Наименование прибора: IRF540N Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пос...

от 224 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 259 руб.
Тип: транзистор

от 259 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 210 руб.
Тип: транзистор

от 210 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe)...

от 50 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 320 Граничная часто...

от 50 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 20 VПредельное постоянное н...

от 128 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 128 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка 2N7002, цена от 8 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы. количество в упаковке: 1 шт. тип: транзистор

от 128 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: AOD4184 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Тип корпуса: TO-252 тип: транзистор

от 241 руб.
Наименование прибора: AOD4184 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Тип корпуса: TO-252 тип: транзистор

от 241 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзистора...

от 155 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзисто...

от 155 руб.

Посмотреть

Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 320...

от 218 руб.
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 180 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 320 Граничная частота коэффициента...

от 218 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоянн...

от 128 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hf...

от 217 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000 Корпус: T...

от 217 руб.

Посмотреть

Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение...

от 20 руб.
Маркировка: 6C Тип материала: Si Полярность: Pre-Biased-PNP Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1 Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V...

от 20 руб.

Посмотреть

Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 0,3 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Ток: коллектора постоянный: 30 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 35-150 Частота: коэффициента передачи тока г...

от 214 руб.
Конфигурация: p-n-p Мощность: рассеиваемая постоянная: 0,3 Вт Максимальное напряжение: коллектор-база: 40 В Максимальное напряжение: эмиттер-база: 4 В Ток: коллектора постоянный: 30 мкА Коэффициент: передачи тока статический: 35-150 Частота: коэффициента передачи тока граничная: не менее 800 МГц Емк...

от 214 руб.

Посмотреть

N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.
N канальный. очень распространенный транзистор

от 225 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcи...

от 241 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллект...

от 241 руб.

Посмотреть

Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффи...

от 213 руб.
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт Коэффициент усиления транзистора по...

от 213 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Гра...

от 237 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 100 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 6 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75 Граничная частота коэффициента пе...

от 237 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

от 213 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 213 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзист...

от 128 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 5 VТок коллектора, не более: 0.3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзи...

от 128 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 262 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 262 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Гран...

от 198 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 40 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 150 Граничная частота коэффициента пер...

от 198 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 264 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 213 руб.
Тип: транзистор

от 213 руб.

Посмотреть

Код 2753 Транзистор FGH 40N60CFD IGBT

от 780 руб.
Код 2753 Транзистор FGH 40N60CFD IGBT

от 780 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току...

от 195 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 25 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 195 руб.

Посмотреть

Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 39 А, 330Вт

от 511 руб.
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 39 А, 330Вт

от 511 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 900 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hf...

от 227 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 900 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 227 руб.

Посмотреть

Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…80...

от 216 руб.
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 420…800 Граничная частота коэффициен...

от 216 руб.

Посмотреть

Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44...

от 1 101 руб.
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 650 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 44 A Максимальная температура ка...

от 1 101 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe...

от 249 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 90 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 249 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.2 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 128 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (...

от 202 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.2 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзистор

от 202 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=64A, Vds=55V, Rds(on)=0.014ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=94W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 245 руб.
N Channel, Id=64A, Vds=55V, Rds(on)=0.014ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=94W, корпусTO-220AB-3, t-175°C

от 245 руб.

Посмотреть

Manufacturer STMicroelectronics Series PowerMESH™ II Packaging Tube Part Status Obsolete FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Current - Continuous Drain (Id)@ 25°C 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Vgs(t...

от 248 руб.
Manufacturer STMicroelectronics Series PowerMESH™ II Packaging Tube Part Status Obsolete FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Current - Continuous Drain (Id)@ 25°C 8A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Vgs(th) (Max)@ Id 4V@ 250µA Gate Ch...

от 248 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 209 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 209 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи...

от 226 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe) тип: транзистор

от 226 руб.

Посмотреть

Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность колле...

от 200 руб.
Высокочастотный, кремниевый транзистор малой мощности 2SC945P. Аналог: NTE85, SK3124A. характеристики: Структура: n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В. Напряжение коллектор-база: 60 В. Напряжение эмиттер-база: 5 V. Ток коллектора: 0.1 А. Рассеиваемая мощность коллектора: 0.25 Вт. Корпус: TO-92....

от 200 руб.

Посмотреть

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (h...

от 213 руб.
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В Напряжение коллектор-база, не более: 300 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 320 Граничная ча...

от 213 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная те...

от 248 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 15...

от 248 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макc...

от 294 руб.
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллек...

от 294 руб.

Посмотреть

Рубрика W2F транзистор содержит 578 товаров, которые продаются в 58 магазинах в Махачкале по цене от 0.89 руб. до 5950 руб.
Новые категории
Приемники с usb Ms 261 Dr 100 12 mean well Цвет загара 8Thdays Пенал Herlitz rock Redmond skykettle Rowenta cf3610 Мотокультиватор мкм 2
Может быть интересно