Транзистор кт368ам в Волгограде
Транзистор кт368ам в Волжском

Транзистор кт368ам в Махачкале

416 товаров
Сбросить (2)

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 225 руб.
Тип: транзистор

от 225 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 200 руб.
Тип: транзистор

от 200 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 213 руб.
Тип: транзистор

от 213 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 60 руб.
Тип: транзистор

от 60 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 899 руб.
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU

от 899 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 330 руб.
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пос...

от 330 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 241 руб.
Тип: транзистор

от 241 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Транзистор IRFB3806 по выгодной цене

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 201 руб.
Транзистор IRFB3806 по выгодной цене

от 201 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 223 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220

от 223 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

Тип: транзистор

Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания

от 220 руб.
Тип: транзистор

от 220 руб.

Динамика цен

В наличии

Доставка: Махачкала

Посмотреть

предложения от 1 магазина

MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...

от 135 руб.
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощность: 0.7 ВтКрутизна характерис...

от 135 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 219 руб.
Тип: транзистор

от 219 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 216 руб.
Тип: транзистор

от 216 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 236 руб.
Тип: транзистор

от 236 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...

от 177 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Ма...

от 177 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 V Предельное пос...

от 129 руб.

Посмотреть

Транзистор IRF9520N по выгодной цене

от 198 руб.
Транзистор IRF9520N по выгодной цене

от 198 руб.

Посмотреть

Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...

от 186 руб.
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 ВМ...

от 186 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 12 руб.
Тип: транзистор

от 12 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3

от 220 руб.
Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3

от 220 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 316 руб.
Тип: транзистор

от 316 руб.

Посмотреть

N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C

от 264 руб.

Посмотреть

Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.
Транзистор 2N6038G по выгодной цене

от 200 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 219 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 219 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 213 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 213 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 300 VПредельное постоянн...

от 128 руб.

Посмотреть

TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole

от 123 руб.
TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole
1 отзыв

от 123 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 10 руб.
Тип: транзистор

от 10 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 183 руб.
Тип: транзистор

от 183 руб.

Посмотреть

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3

от 179 руб.
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3

от 179 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 89 руб.
Тип: транзистор

от 89 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 254 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 254 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 255 руб.
ОЕМ

от 255 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 213 руб.
Тип: транзистор

от 213 руб.

Посмотреть

Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...

от 149 руб.
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Транзистор TK10A60W по выгодной цене

от 238 руб.
Транзистор TK10A60W по выгодной цене

от 238 руб.

Посмотреть

ОЕМ

от 245 руб.
ОЕМ

от 245 руб.

Посмотреть

Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор

от 179 руб.

Посмотреть

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

от 671 руб.
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC

от 671 руб.

Посмотреть

Транзистор KTC9018G по выгодной цене

от 146 руб.
Транзистор KTC9018G по выгодной цене

от 146 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 VПредельное постоянное...

от 129 руб.

Посмотреть

Транзистор TIP120 (NPN, 5А, 60В) по выгодной цене

от 187 руб.
Транзистор TIP120 (NPN, 5А, 60В) по выгодной цене

от 187 руб.

Посмотреть

Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...

от 149 руб.
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
1 отзыв

от 149 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 211 руб.
Тип: транзистор

от 211 руб.

Посмотреть

Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...

5 1 отзыв
от 211 руб.
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 VМакcимальный постоянный...
1 отзыв

от 211 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзистора...

от 155 руб.
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзистора по току (hfe) тип: транзисто...

от 155 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 280 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 280 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 155 руб.
Тип: транзистор

от 155 руб.

Посмотреть

Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер

от 190 руб.
Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер

от 190 руб.

Посмотреть

Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN

от 824 руб.
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN

от 824 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...

от 129 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора (Ic max): 0.6 AПредельная тем...

от 129 руб.

Посмотреть

Тип: транзистор

от 267 руб.
Тип: транзистор

от 267 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

от 222 руб.
S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене

от 222 руб.

Посмотреть

Корпус SO8

от 226 руб.
Корпус SO8

от 226 руб.

Посмотреть

Описание Semiconductors Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor Технические параметры Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V Maximum Operating Temperature +150 °C Number of Elements per Chip 1 Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V Length 11.04mm Ma...

от 195 руб.
Описание Semiconductors Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor Технические параметры Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V Maximum Operating Temperature +150 °C Number of Elements per Chip 1 Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V Length 11.04mm Maximum Collector Base Voltage 6...

от 195 руб.

Посмотреть

Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3

от 267 руб.
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3

от 267 руб.

Посмотреть

Электронные компоненты: Транзистор: КТ817А по выгодной цене

от 149 руб.
Электронные компоненты: Транзистор: КТ817А по выгодной цене

от 149 руб.

Посмотреть

Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP

от 267 руб.
Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP

от 267 руб.

Посмотреть

Наименование: IRG7SC28U Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 171 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)

от 323 руб.
Наименование: IRG7SC28U Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 171 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)

от 323 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка RJP6065DPP, цена от 140 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 316 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка RJP6065DPP, цена от 140 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 316 руб.

Посмотреть

Наименование производителя: TIP120 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряже...

от 187 руб.
Наименование производителя: TIP120 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Ма...

от 187 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRFPS3815 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 441 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток ст...

от 837 руб.
Наименование прибора: IRFPS3815 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 441 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 105 A Общий заряд за...

от 837 руб.

Посмотреть

Тип корпуса: TO-220. Структура: PNP. Корпус: MP45F. Граничная рабочая частота (frp): 160. Ток коллектора (Iк.макс): 6. Напряжение КЭ (Uкэомакс): 250. Максимальная рассеиваемаямощность: 35

от 111 руб.
Тип корпуса: TO-220. Структура: PNP. Корпус: MP45F. Граничная рабочая частота (frp): 160. Ток коллектора (Iк.макс): 6. Напряжение КЭ (Uкэомакс): 250. Максимальная рассеиваемаямощность: 35

от 111 руб.

Посмотреть

Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.
Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене

от 207 руб.

Посмотреть

Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г

от 170 руб.
Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г

от 170 руб.

Посмотреть

• Низкий заряд затвора • Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Высокая мощность и способность выдерживать ток

от 241 руб.
• Низкий заряд затвора • Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Высокая мощность и способность выдерживать ток

от 241 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NF/S-L, 60V, 4A, 40W, B>750 характеристики Прочие Вес г. 0.8 Тип Корпуса TO-126-5

от 244 руб.
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NF/S-L, 60V, 4A, 40W, B>750 характеристики Прочие Вес г. 0.8 Тип Корпуса TO-126-5

от 244 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRFB3077 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток сток...

от 324 руб.
Наименование прибора: IRFB3077 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A Общий заряд затв...

от 324 руб.

Посмотреть

Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр

от 144 руб.
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр

от 144 руб.

Посмотреть

Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN 40В/0.02А/0.625Вт/800МГц характеристики Прочие Бренд Korea Electronics Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-92-3

от 142 руб.
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN 40В/0.02А/0.625Вт/800МГц характеристики Прочие Бренд Korea Electronics Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-92-3

от 142 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...

от 201 руб.
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пос...

от 201 руб.

Посмотреть

Характеристики Прочие Бренд GTM Corporation Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-251-3

от 221 руб.
Характеристики Прочие Бренд GTM Corporation Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-251-3

от 221 руб.

Посмотреть

Тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218, ST [BU808DFI

от 549 руб.
Тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218, ST [BU808DFI

от 549 руб.

Посмотреть

Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3

от 318 руб.
Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3

от 318 руб.

Посмотреть

Описание Высоковольтные транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимальн...

от 155 руб.
Описание Высоковольтные транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А...

от 155 руб.

Посмотреть

Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V Максимально допустимый по...

от 188 руб.
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9.7 A...

от 188 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 129 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 45 VПредельное постоянное н...

от 129 руб.

Посмотреть

Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92

от 213 руб.
Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92

от 213 руб.

Посмотреть

Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...

от 128 руб.
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное н...
1 отзыв

от 128 руб.

Посмотреть

Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи

от 225 руб.

Посмотреть

Описание IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникальная обработка конструкции HEXFET обеспечивают очень низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой...

от 211 руб.
Описание IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникальная обработка конструкции HEXFET обеспечивают очень низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой крутизной и чрезвычайной проч...

от 211 руб.

Посмотреть

Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...

от 128 руб.
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное...

от 128 руб.

Посмотреть

Наименование прибора: IRFB3806 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока...

от 196 руб.
Наименование прибора: IRFB3806 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A Общий заряд затвор...

от 196 руб.

Посмотреть

Описание товара IGBT 450V 35A характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Renesas Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3

от 354 руб.
Описание товара IGBT 450V 35A характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Renesas Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3

от 354 руб.

Посмотреть

Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC807-25, цена от 6 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 91 руб.
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC807-25, цена от 6 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы

от 91 руб.

Посмотреть

Рубрика Транзистор кт368ам содержит 416 товаров, которые продаются в 42 магазинах в Махачкале по цене от 0.89 руб. до 5950 руб.
Новые категории
Приемники с usb Ms 261 Dr 100 12 mean well Цвет загара 8Thdays Пенал Herlitz rock Redmond skykettle Rowenta cf3610 Мотокультиватор мкм 2
Может быть интересно