Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 225 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 200 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 200 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 213 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 60 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 12 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Транзисторы мосфеты для ремонта блоков питания асик майнеров JS65R130FU
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 899 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 330 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 241 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Транзистор IRFB3806 по выгодной цене
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 201 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМаксимально допустимый ток: 6АМаксимальная рассеиваемая мощность: 65ВтКорпус: TO-220
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 223 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
Тип: транзистор
Самовывоз, Почта РФ, Курьером, Логистическая компания
от 220 руб.
Динамика цен
В наличии
Доставка: Махачкала
предложения от 1 магазина
MOSFET транзистор SI2301DS. Характеристики: Структура: p-каналМаксимальное напряжение сток-исток: -20 ВМаксимальный ток сток-исток при 25 С: -4.7 АМаксимальное напряжение затвор-исток: ±8 ВСопротивление канала в открытом состоянии: 100 мОмМаксимальная рассеиваемая мощно...
Тип: транзистор
Тип: транзистор
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый пост...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: NPN Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) тр...
Транзистор IRF9520N по выгодной цене
Транзистор PNP, 0.2А 80В, 2N3963 производства Motorolla. Характеристики: Тип: биполярный - BJTТип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 ВтМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 ВМакcимально допустимое напряжение...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3
N Channel, Id=1.3A, Vds=100V, Rds(on)=0.27ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=1.3W, корпус-DIP-4, t-175°C
Транзистор 2N6038G по выгодной цене
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 300 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзис...
TRANSISTOR, NPN TO-251; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo:50V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:240mV; Power Dissipation:15W; Hfe, Min:200; ft, Typ:330MHz; Case Style: I-PAK; Termination Type: Through Hole
Тип: транзистор
Тип: транзистор
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3
Тип: транзистор
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...
Транзистор TK10A60W по выгодной цене
Характеристики:Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 ВНапряжение коллектор-база, не более: 100 ВНапряжение эмиттер-база, не более: 7 ВТок коллектора, не более: 15 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 115 ВтКорпус: TO-3 тип: транзистор
MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOIC
Транзистор KTC9018G по выгодной цене
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 60 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзист...
Транзистор TIP120 (NPN, 5А, 60В) по выгодной цене
Характеристики:Полярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 WМаксимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 VМаксимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 VМаксимальный п...
Характеристики: Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 125 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb...
Характеристики: Структура - p-n-pНапряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 ВНапряжение коллектор-база, не более: -70 ВНапряжение эмиттер-база, не более: -5 VТок коллектора, не более: -3 АРассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 ВтКоэффициент усиления транзистора...
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Совместимый бренд Intrnational Rectifier Тип Контроллер
Эта матрица работает только на ноутбуках NP530U3C, NP530U3B LTN133AT23 80x, Технология- TN
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.625 ВтПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40 ВПредельный постоянный ток коллектора транзистора...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
S8550 Транзистор биполярный NPN 25 В 0.5A 1 Вт TO-92 по выгодной цене
Описание Semiconductors Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor Технические параметры Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 3 V Maximum Operating Temperature +150 °C Number of Elements per Chip 1 Maximum Base Emitter Saturation Voltage 4 V Length 11.04mm Ma...
Описание товара 600V N-Channel MOSFET характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Fairchild Вес г. 2.8 Тип Корпуса TO-3PF-3
Электронные компоненты: Транзистор: КТ817А по выгодной цене
Транзистор, Zener-Protected SuperMESH, N-канал, 600В, 1 Ом, 6А [TO-220FP
Наименование: IRG7SC28U Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 171 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic)
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка RJP6065DPP, цена от 140 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы
Наименование производителя: TIP120 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряже...
Наименование прибора: IRFPS3815 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 441 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток ст...
Тип корпуса: TO-220. Структура: PNP. Корпус: MP45F. Граничная рабочая частота (frp): 160. Ток коллектора (Iк.макс): 6. Напряжение КЭ (Uкэомакс): 250. Максимальная рассеиваемаямощность: 35
Транзистор полевой (N-канал 500В 20A KT-431) КП809Б по выгодной цене
Описание товара HEXFET P-channel Power MOSFET, Vdss=200V, Id=4,3A, Pd=35W, Rds(on)=0,8 Ohm характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд International Rectifier Вес г
• Низкий заряд затвора • Высокопроизводительная технология траншеи для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Высокая мощность и способность выдерживать ток
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NF/S-L, 60V, 4A, 40W, B>750 характеристики Прочие Вес г. 0.8 Тип Корпуса TO-126-5
Наименование прибора: IRFB3077 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток сток...
Характеристики: Структура транзистора: NPNМакс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи: 100ВМакс. напр
Описание товара Биполярный транзистор, характеристики NPN 40В/0.02А/0.625Вт/800МГц характеристики Прочие Бренд Korea Electronics Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-92-3
Наименование прибора: IRF9640 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|:...
Характеристики Прочие Бренд GTM Corporation Вес г. 0.4 Тип Корпуса TO-251-3
Тип NPN, 160 Вт, корпус ISO-WATT218, ST [BU808DFI
Характеристики Прочие Вес г. 6.05 Тип Корпуса TO-247-3
Описание Высоковольтные транзисторы PNP, Fairchild Semiconductor Технические параметры Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 350 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350 Максимальн...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.7 V Максимально допустимый по...
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.5 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 50 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Биполярный транзистор, PNP, -15В, -0.3А, 0.2Вт, 5МГц, h21e=40…120 [КТ-26 / TO-92
Характеристики:Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистор...
Транзистор это прибор, предназначенный для управления током в электрической цепи
Описание IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникальная обработка конструкции HEXFET обеспечивают очень низкое сопротивление в открытом состоянии в сочетании с высокой...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: NPNПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзисто...
Наименование прибора: IRFB3806 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока...
Описание товара IGBT 450V 35A характеристики Вес и габариты Вес (грамм) 2 Прочие Бренд Renesas Вес г. 2.7 Тип Корпуса TO-220F-3
Транзисторы биполярные, полевые, транзисторные модули, сборка BC807-25, цена от 6 ₽ руб. Доставка по Москве и МО. Описание, характеристики, отзывы